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STM32F4读写内部FLASH

   日期:2016-10-04     浏览:355    评论:0    
核心提示:STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多。平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM
 STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多。平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余。有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据。因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作。

【STM32F4 内部Flash的一些信息】

STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000。

写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入。FLASH的擦除操作,只能按Sector进行。不能单独擦除一个地址上的数据。因此在写数据之前需要将地址所在Sector的所有数据擦除。

在STM32F4的编程手册上可找到FLASH的Sector划分,我们现在只操作Main memory:

image

参考Demo中的例子,将FLASH的页的其实地址(基地址)可定义如下:


#define ADDR_FLASH_SECTOR_0     ((uint32_t)0x08000000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1     ((uint32_t)0x08004000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2     ((uint32_t)0x08008000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3     ((uint32_t)0x0800C000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4     ((uint32_t)0x08010000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5     ((uint32_t)0x08020000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6     ((uint32_t)0x08040000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7     ((uint32_t)0x08060000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8     ((uint32_t)0x08080000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9     ((uint32_t)0x080A0000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10    ((uint32_t)0x080C0000)
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11    ((uint32_t)0x080E0000)

在库里边,FLASH的Sector编号定义如下,这是供库里边的几个函数使用的。需要将地址转换成Sector编号:

#define FLASH_Sector_0     ((uint16_t)0x0000)
#define FLASH_Sector_1     ((uint16_t)0x0008)
#define FLASH_Sector_2     ((uint16_t)0x0010)
#define FLASH_Sector_3     ((uint16_t)0x0018)
#define FLASH_Sector_4     ((uint16_t)0x0020)
#define FLASH_Sector_5     ((uint16_t)0x0028)
#define FLASH_Sector_6     ((uint16_t)0x0030)
#define FLASH_Sector_7     ((uint16_t)0x0038)
#define FLASH_Sector_8     ((uint16_t)0x0040)
#define FLASH_Sector_9     ((uint16_t)0x0048)
#define FLASH_Sector_10    ((uint16_t)0x0050)
#define FLASH_Sector_11    ((uint16_t)0x0058)

Demo中有将地址转换成Sector的代码:

uint32_t GetSector(uint32_t Address)
{
  uint32_t sector = 0;
  
  if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0))
  {
    sector = FLASH_Sector_0;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1))
  {
    sector = FLASH_Sector_1;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
  {
    sector = FLASH_Sector_2;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3))
  {
    sector = FLASH_Sector_3;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
  {
    sector = FLASH_Sector_4;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
  {
    sector = FLASH_Sector_5;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6))
  {
    sector = FLASH_Sector_6;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_8) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_7))
  {
    sector = FLASH_Sector_7;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_9) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_8))
  {
    sector = FLASH_Sector_8;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_10) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_9))
  {
    sector = FLASH_Sector_9;  
  }
  else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_11) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_10))
  {
    sector = FLASH_Sector_10;  
  }
  else
  {
    sector = FLASH_Sector_11;  
  }

  return sector;
}

 

有了这些定义之后,我们就可以开始正式操作FLASH了

首先,要向FLASH写入数据需要先将FLASH解锁。根据手册定义,解锁FLASH需要先向寄存器FLASH_KEYR写入0x45670123之后再向这个寄存器写入0xCDEF89AB。这两个数据在库中已经定义成了:FLASH_KEY1和FLASH_KEY2.

使用库函数不用这么麻烦,函数FLASH_Unlock()即可完成对FLASH的解锁。

解锁FLASH之后,使用函数FLASH_ClearFlag清除FLASH的状态寄存器。然后就可以对FLASH进行写操作了。我按照示例工程,擦除两块FLASH。

下边是操作FLASH的代码,首先擦除两块FLASH,然后向这两块FLASH中写入数据。最后进行校验:

要写入的数据定义:

#define DATA_32                 ((uint32_t)0x12345678)

开始FLASH操作:

  FLASH_Unlock(); //解锁FLASH后才能向FLASH中写数据。


  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | 
                  FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);

 
  StartSector = GetSector(FLASH_USER_START_ADDR);  //获取FLASH的Sector编号
  EndSector = GetSector(FLASH_USER_END_ADDR);
  
  //擦除FLASH
  for (i = StartSector; i < EndSector; i += 8)  //每次FLASH编号增加8,可参考上边FLASH Sector的定义。
  {
     
    if (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE)
    { 
      while (1)
      {
      }
    }
  }
  
 
 
  Address = FLASH_USER_START_ADDR;
  
    while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)
  {
    if (FLASH_ProgramWord(Address, DATA_32) == FLASH_COMPLETE)   //将DATA_32写入相应的地址。
    {
      Address = Address + 4;
    }
    else
    { 
     
      while (1)
      {
      }
    }
  }
  
  FLASH_Lock();  //读FLASH不需要FLASH处于解锁状态。
  
//读出数据 检查写入值是否正确
  Address = FLASH_USER_START_ADDR;
  MemoryProgramStatus = 0x0;
   while (Address < FLASH_USER_END_ADDR)
  {
    data32 = *(__IO uint32_t*)Address;   //读FLASH中的数据,直接给出地址就行了。跟从内存中读数据一样。

    if (data32 != DATA_32)
    {
      MemoryProgramStatus++;  
    }

    Address = Address + 4;
  }  
 

下边是使用STlink Utility读出的数据,检查一下,确实写进去数据了:

image

参考文档是ST的 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual。可在ST网站下载。文档编号:PM0081。FLASH的有不少寄存器,各个含义手册上有详细介绍。我只是简单地看了下。使用库函数操作,好像不大需要详细理解这些寄存器了。

 

 
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